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innoDisk/宜鼎內(nèi)存條DDR5 SODIMM

產(chǎn)品特色 Small Outline Dual In-line Memory Module Fully Tested and Optimized for Stability and Performance Uses Original IC to Meet Strict Industrial Standards On module Power Management IC (JEDEC Standard: 1.1V) Operating Environment: 0°C ~ 95°C (Tc) Anti-Sulfuration Protection Against Harsh Environments 30μ” Gold Finger RoHS Compliance CE/FCC Certification

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介紹:

JESD79-5 DDR5 SDRAM在容量、速度與電壓都有顯著提升。尤其就產(chǎn)品結(jié)構(gòu)而言，相較于上一世代，DDR5將電源管理IC（PMIC）移動到內(nèi)存上，減少了主板上多余的電路。

根據(jù)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，DDR5單條內(nèi)存最高容量可提升至128GB，最高傳輸速率的理論效能亦較DDR4翻倍而達(dá)到6400MT/s，整體功耗減至1.1V，節(jié)能效率更升級。

宜鼎出品的內(nèi)存模塊全面符合JEDEC相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，并提供8GB、16GB、24GB、32GB與48GB的5600MT/s模塊。

規(guī)格：

Interface	DDR5
Form Factor	SODIMM
Data Rate	4800 MT/s, 5600 MT/s
Capacity	8GB, 16GB, 32GB, 24GB, 48GB
Function	Non-ECC Unbuffered Memory
Pin Number	262pin
Width	64Bits
Voltage	1.1V
PCB Height	1.18 Inches
Operating Temperature	0°C to 95°C (Tc)
Anti-Sulfuration	Y

產(chǎn)品料號：

Density	Component Composition	Part Number	Rank	Voltage	Description
8GB	1GX16	M5S0-8GSYZCZQ	1Rx16	1.1V	DDR5 5600 SODIMM
8GB	1GX16	M5S0-8GMYZCZQ	1Rx16	1.1V	DDR5 5600 SODIMM
16GB	2Gx8	M5S0-AGS2NCZQ	1Rx8	1.1V	DDR5 5600 SODIMM
16GB	2Gx8	M5S0-AGM2NCZQ	1Rx8	1.1V	DDR5 5600 SODIMM
32GB	2Gx8	M5S0-BGS2OCZQ	2Rx8	1.1V	DDR5 5600 SODIMM
32GB	2Gx8	M5S0-BGM2OCZQ	2Rx8	1.1V	DDR5 5600 SODIMM
24GB	3Gx8	M5S0-FGMZNCZQ	1Rx8	1.1V	DDR5 5600 SODIMM
48GB	3Gx8	M5S0-GGMZOCZQ	2Rx8	1.1V	DDR5 5600 SODIMM