pSLC的全稱是：Pseudo SLC，其實就是假的SLC，是通過主控的固件算法把MLC或者TLC配置為SLC模式，大大增強了MLC和TLC閃存的性能和壽命。SLC NAND閃存具有非常高的耐用性和可靠性，可以在擴展溫度范圍下工作。然而，高容量SLC NAND的成本可能會令人望而卻步。但是有時候我們又會看到Agrade睿達推出的aSLC固態硬盤或者宜鼎的iSLC，價格比MLC的貴，又比SLC便宜很多。這時候我們可能會有所疑問，這兩種到底是什么呢？請繼續往下看：
對于那些成本敏感的項目，設計師有時會將MLC NAND視為一種替代方案，MLC NAND高容量低成本。然而，MLC NAND 具有較低的耐用性（約等于SLC NAND的1/20），誤碼率高，在擴展溫度范圍情況下不能很好工作。一段時間以來，閃存存儲廠商已經推出了第三個選項，這是一種增強型MLC NAND產品，這些已經以各種名稱銷售——如增強型MLC，aSLC，iSLC，superMLC，MLC +，turbo MLC等等這些，就是我們今天所說的pSLC Nand Flash，而且也已經被各存儲廠商提升了很大的性能。對于一般用戶來說有點混亂，因為不清楚底層技術，這些不同的稱呼的產品是否性能一樣呢？
NAND Flash 基礎知識
NAND閃存結構NAND Flash的內部組織是由塊和頁構成。每個塊包含多個頁面，這取決于設備容量; 每個塊典型的頁數量是64到256。每頁都有一個固定尺寸，目前的MLC NAND具有8KB或16KB的頁面大小，具體取決于設備容量。
MLC NAND編程
MLC NAND中的每個單元在編程時會存儲兩位數據，這兩位數據來自兩個不同的頁面。首先編程LSB，這將使存儲單元(cell)置于中級編程狀態。這個編程步驟被稱為低頁面或快速頁面編程。
這個編程步驟相當快，因為中級編程狀態不需要非常精密，閾值電壓值只需要超過能使感測電路能區分擦除狀態的高度就足夠了。接下來編程MSB，這被稱為高頁面或慢頁面編程。這個編程步驟很慢，有兩個原因。首先，必須執行讀取操作找出LSB是“0”還是“1”。然后，這個編程步驟必須將單元格精確地置于三種可能狀態中的一種，這需要一種在多通道里遞增地移動單元閾值的編程算法。
總之，和SLC NAND編程比較，LSB / MSB編程順序結果在MLC中寫入量更慢。快速頁面模式現在我們已經看到了MLC NAND的編程方式，僅僅使用MLC NAND簡單地存儲一位數據而不編程高頁面，這個方式顯然是可行的。使用MLC NAND的這種編程方式被稱為“快速頁面模式”。其實一些廠商一直以不同名稱在推廣這個產品，如“渦輪增壓模式”，MLC+等。快速頁面模式的優點是任何MLC NAND都可以實現，它不需要任何特殊指令，提供了一種實現性能提升的簡單方法，但犧牲了設備的容量。缺點是與真正的SLC
NAND閃存相比其設備耐久性只有輕微的提高。這是因為中級編程狀態的閾值電壓不如SLC NAND那么高。還因為這個，快速頁面模式NAND的錯誤率和數據保持并不比標準MLC NAND好。在pSLC模式下，存儲單元也被用于存儲單個位的模式，但增加扭曲技術導致編程閾值被提高; 這在下圖中說明：
pSLC與快速頁面
提高編程閾值電壓值具有許多優點。它增加編程狀態與擦除狀態之間的感應余量，從而提高了耐用性，更低的錯誤率和數據保存更長的時間。這些都是提高了噪音余量的結果，都歸功于提高了編程閾值。感應閾值的改變和較高的編程閾值要求每個MLC NAND 都有專門的指令。因此，不像快速頁模式，pSLC模式不能在任何MLC NAND上使用，僅僅在那些用MLC NAND的地方由供應商提供專門的指令后方可使用。
pSLC模式與快速頁面模式
下表總結了pSLC模式和快速頁面模式之間的差異：
PSLC模式與100％超額配置（OP）
由于pSLC模式是用于MLC NAND預期容量的一半，所以出現了一個問題，是否一個100%超額配置的MLC NAND（即物理容量是用戶容量的兩倍）可以實現與pSLC NAND相同的特性？答案是不。
100％ OP NAND仍然是在標準MLC模式下使用，因此它沒有pSLC NAND所擁有的性能提升，此外，由于100％OP NAND只是標準的MLC NAND，它與標準的MLC NAND一樣有高錯誤率和低數據保留問題。對于耐力，100％OP NAND與標準MLC NAND相比，其耐久性將翻倍，但正確配置pSLC NAND可以實現超過標準MLC NAND的2倍以上的耐用性。
100％ OP NAND可能比pSLC NAND具有更耐用的唯一場景，就是在寫入small block數據時，而pSLC firmware又是以flash block來做單位(而不是flash page)，在這樣的條件下，small block數據會大大增加損耗平衡功能(wear leveling)的運作，flash block在沒有寫滿數據的時候，就已經要被再erase，erase次數很頻密，這可能有助于其實現比pSLC NAND更高的耐力。在所有其他情況下，pSLC NAND應具有更好的耐用特性。
概要
雖然大多數系統設計人員都希望將SLC NAND產品用于其工業嵌入式應用，但其高成本正在推動一些設計師尋找便宜的替代品 ，MLC NAND產品無法滿足這些工業應用的可靠性和耐用性要求。如今，很多SSD主控廠商在其固件中增加了對pSLC模式的支持。
我們已經解釋了pSLC NAND背后的技術，其特性在SLC NAND與標準MLC NAND之間。對系統設計人員來說，需要一個解決方案比SLC 成本低，但又比MLC具有更高的可靠性，pSLC會是一個不錯的選擇。
