另外一個明顯差別是DDR4內存底部金手指不再是直的,而是呈彎曲狀。從左側數,第35針開始邊長,到第47針達到最長,然后從第105針開始縮短,到第117針回到最短。
最后是接口位置也發生了改變,金手指中間的“缺口”位置相比DDR3更為靠近中央,這樣做的目的就是防止用戶差錯內存,歷代產品升級均如此。
DDR4在使用了3DS堆疊封裝技術后,單條內存的容量最大可以達到目前產品的8倍之多。舉例來說,目前常見的大容量內存單條容量為8GB(單顆芯片512MB,共16顆),而DDR4則完全可以達到64GB,甚至128GB。
而電壓方面,DDR4將會使用20nm以下的工藝來制造,電壓從DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,移動版的SO-DIMMD DR4的電壓還會降得更低。DDR4最重要的使命當然是提高頻率和帶寬。DDR4內存的每個針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超過70%。
相比DDR3內存多點分支總線連接方式,DDR4內存轉而采用點對點總線。相比之下,點對點相當于一條主管道只對應一個注水管,大大簡化內存模塊的設計、更容易達到更高的頻率。另外,3DS封裝技術不斷擴增DDR4容量,可以很輕松的提升系統內存總量,這樣即便每通道只能支持一根內存也不會有問題。
過渡到DDR4時代已經是不可阻擋的趨勢,但是每次更新換代都是很痛苦的,這取決于內存廠商、CPU和主板的同心協力。通過講解能夠很清晰的看到DDR4內存的各種優勢,現在唯一遺憾就是價格太貴。不過隨著臺北展新品CPU和主板的發布,相信DDR4時代很快就會來臨。