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一鍵自毀SSD固態(tài)硬盤的技術(shù)點(diǎn)

返回列表 來源: 發(fā)布日期: 2020.10.20

一鍵自毀SSD固態(tài)硬盤的技術(shù)點(diǎn)

通過短路方式實(shí)現(xiàn),燒毀時(shí)可見明火及冒煙,5秒(時(shí)間可調(diào)整)防誤觸發(fā)功能,每2秒燒毀一片閃存芯片,獨(dú)特的反饋電路實(shí)時(shí)反饋燒毀狀態(tài),確保所有閃存全部被燒毀。燒毀后電子盤徹底報(bào)廢,無法通過任何手段恢復(fù)數(shù)據(jù)。

Agrade睿達(dá)軍工級(jí)SSD固態(tài)硬盤技術(shù)亮點(diǎn)

1.  一鍵智能自毀功能也叫軟銷毀;

智能自毀是通過更改固件的方式實(shí)現(xiàn),自毀后SSD變?yōu)槲闯跏蓟癄顟B(tài),可以被操作系統(tǒng)識(shí)別,經(jīng)過初始化后,仍然可以繼續(xù)使用,銷毀后所有數(shù)據(jù)將無法被恢復(fù),全盤數(shù)據(jù)成為FF狀態(tài)。

一鍵自毀SSD固態(tài)硬盤的技術(shù)點(diǎn)

2.  一鍵物理自毀功能,也硬銷毀;

物理自毀是指固態(tài)硬盤通過特定硬件電路,在識(shí)別到用戶執(zhí)行物理銷毀的操作指示后,在高電壓、大電流等的作用下,對(duì)固態(tài)硬盤存儲(chǔ)介質(zhì)進(jìn)行徹底破壞的過程。自毀過程中對(duì)芯片進(jìn)行指定燒毀時(shí)間,依次進(jìn)行燒毀,例如,每片F(xiàn)lash顆粒燒毀需要5秒,然后跳到下一片顆粒;一般情況下,正常工作電路和燒毀電路是分開的,燒毀電路執(zhí)行高壓擊穿Flash顆粒和主控顆粒。燒毀后SSD徹底報(bào)廢,無法通過任何手段恢復(fù)數(shù)據(jù)。

一鍵自毀SSD固態(tài)硬盤的技術(shù)點(diǎn)

Agrade SSD固態(tài)硬盤電氣設(shè)計(jì)可靠性

  1. 特有的過壓、過流保護(hù)電路,完美適應(yīng)裝甲車、戰(zhàn)斗機(jī)、無人機(jī)、汽車等電壓不穩(wěn)定應(yīng)用場(chǎng)景;

  2. 異常掉電數(shù)據(jù)保護(hù)功能,30000次掉電實(shí)驗(yàn)零故障發(fā)生保障,保障當(dāng)起保護(hù)作用等電容即使老化至初始設(shè)計(jì)電量30%時(shí)仍能提供100%數(shù)據(jù)不丟失;

  3. 高抗振動(dòng)、抗沖擊性;

  4. 任意數(shù)據(jù)填充,穩(wěn)態(tài)條件下,性能下降不超過20%;

  5. 所有Nand Flash均為原裝正品;

  6. 10萬次插拔壽命;

  7. 優(yōu)越的信號(hào)完整性,超越SATA 6Gbps要求標(biāo)準(zhǔn);

  8. 沖擊:1500G  震動(dòng):20g;

  9. 連接器工作溫度:-55°C to +125°C;

一鍵自毀SSD固態(tài)硬盤的技術(shù)點(diǎn)

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