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海康存儲 R33 USB 3.2 Gen1 高速閃存盤

專為個人數據存儲與傳輸設計，采用全新SECURE14品質控制體系，確保讀寫速度和數據安全，輕松滿足用戶日常各類使用所需。  高速讀寫，傳輸速度最高達130MB/s  蓋帽保護設計，防塵防摔防潑水 閃電綠發光掛鉤，雙重狀態指示

kingston/金士頓 NV3 PCIe 4.0 NVMe SSD

高速度、低功耗的NVMe存儲  PCIe4.0M.22280&2230NVMe外形  500GB、1TB、2TB、4TB  讀取速度高達6,000MB/s，寫入速度高達5,000MB/s

ATP DDR4

容量：2GB~256GB  高速傳輸：最高達3200MT/s  低電壓（1.2V）、低功耗  更好的RAS（Reliability，Availability，Serviceability）及更優的信號完整性

kingston/金士頓 Renegade DDR4 內存

高速度和低延遲實現極致性能 Intel®XMPCertified且可直接用于AMDRyzen? 速度高達5333MT/s套裝容量高達256GB  模組容量8GB、16GB、32GB

kingston/金士頓 Renegade DDR4 RGB 內存

高速度和低延遲實現高性能 Intel®XMPCertified或Ready，可直接用于AMDRyzen?  速度高達4600MT/s,套裝容量高達256GB  模組容量8GB、16GB、32GB

Apacer宇瞻/SD卡Industrial SD Card

宇瞻ISD符合SD協會規定的2.0版標準和SDHCClass10高速傳輸標準，還支持SD和SPI模式。它通過使用非常可靠的SLC芯片不僅可提供抗沖擊、抗振和低功耗特性，還擁有擴展溫度范圍(-40°C到85°C)耐性。提供從256MB到32GB的容量，憑借其最新但不是唯一的自動待機和睡眠模式優勢可有助于更有效地節省電力。該設備上的實際可用內存小于包裝上所列的內存。這是因為各種操作系統使用的文件格式以及算法的微小差異造成。另外，為系統文件和數據扇區保留了一部分內存空間以提供更好的性能。

transcend/創見 MTE480T & MTE480T-I

創見M.2固態硬盤MTE480T為符合TCGOpal2.0安全規范的自我加密硬盤(Self-EncryptingDrive)，以AES-256位硬件加密技術與LBA分層管理的方式進行進階數據保護，保障機密數據安全。創見PCIeM.2固態硬盤MTE480T以112層3DNAND閃存打造，搭載高速PCIeGen4x4接口與強大控制器，帶來前所未有的傳輸效能；創見MTE480T搭載30μ"金手指厚金鍍層PCB、邊緣粘合(CornerBond)技術以及抗硫化電阻，強化關鍵組件保護，抵御嚴苛的工業應用環境。MTE480T經過嚴格的廠內測試，具備類寬溫特性（-20°C~75°C），在急遽溫差變化下仍能穩定運作，展現高度可靠性。

transcend/創見 MTE452T2

創見MTE452T2固態硬盤搭載PCIeGen3x2接口，符合最新NVMe1.3規范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術，可堆棧高達96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆棧，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。創見MTE452T2固態硬盤內置DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機訪問速度，同時經過嚴格的廠內測試，達到3K抹寫次數的耐用度等級，30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊角粘合(CornerBond)工藝亦提供優異可靠的性能。此外，MTE452T2具備類寬溫特性（-20℃~75℃），完美滿足任務密集型應用的需求。

transcend/創見 MTE452T & MTE452T-I

創見MTE452T固態硬盤搭載PCIeGen3x2接口，符合最新NVMe1.3規范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術，可堆棧高達96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆棧，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。創見MTE452T固態硬盤內建DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機訪問速度，同時經過嚴格的廠內測試，達到3K抹寫次數的耐用度等級，優異可靠的性能，完美滿足任務密集型應用的需求。

transcend/創見 MTE560I

創見M.2固態硬盤MTE560I采用112層3DNAND閃存打造，并搭配創見SLCMode技術，展現不遜于SLC閃存顆粒的效能與穩定性，其搭載高速PCIeGen4x4接口，具備優異的傳輸效能，同時采用30μ"金手指厚金鍍層PCB、邊緣粘合(CornerBond)技術以及抗硫化電阻，強化關鍵組件保護。MTE560I經過嚴謹的質量測試，具備寬溫特性（-40℃~85℃），在急遽溫差變化下仍能穩定運作，充分抵御嚴苛的工業應用環境。